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Diodes DIMD10A Bedienungsanleitung Seite 2

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DIMD10A
Document number: DS30391 Rev. 5 - 2
2 of 4
www.diodes.com
September 2010
© Diodes Incorporated
DIMD10A
Electrical Characteristics NPN Section Tr2 @T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Condition
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CBO
50
⎯ ⎯
V
I
C
= 50μA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
CEO
50
⎯ ⎯
V
I
C
= 1mA
Emitter-Base Breakdown Voltage
BV
EBO
5
⎯ ⎯
V
I
E
= 50μA
Collector Cutoff Current
I
CBO
⎯ ⎯
0.5
μA
V
CB
= 50V
Emitter Cutoff Current
I
EBO
⎯ ⎯
0.5
μA
V
EB
= 4V
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE
(
SAT
)
⎯ ⎯
0.3 V
I
C
/I
B
= 10mA / 1.0mA
DC Current Transfer Ratio
h
FE
100 250 600
⎯ I
C
= 1mA, V
CE
= 5V
Gain-Bandwidth Product (Note 3)
f
T
⎯
250
⎯
MHz
V
CE
= 10V, I
E
= -5mA, f = 100MHz
Notes: 3. Transistor - For Reference Only
Typical Curves - Tr2
-50
050100150
250
200
150
50
100
0
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)
Fig. 1 Power Dissipation vs. Ambient Temperature
A
°
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N
(mW)
D
10
1,000
100
1
110100
h, D
C
C
U
R
R
E
N
T
G
AI
N
(
N
O
R
MALIZED)
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 2 Typical DC Current Gain vs. Collector Current
C
V = 10
CE
0.001
0.01
0.1
1
0
10
20
30
40
50
V,
C
O
LLE
C
T
O
R
EMI
T
T
E
R
SATURATION VOLTAGE (V)
CE(SAT)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 3 Typical Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
C
I/I = 10
CB
-25 C
°
75 C
°
25 C
°
0
1
2
3
4
0
20
30
C
A
P
A
C
I
T
A
N
C
E (p
F
)
V , REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Capacitance Characteristics
R
10
5
15
25
I = 0mA
E
C
obo
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