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SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 1 – NOVEMBER 1997

FEATURES

Very low equivalent on-resistance; R

CE(sat)

=140mΩ at 1.25A

COMPLEMENTARY TYPE – FMMTL718

PARTMARKING DETAIL – L68

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT

Collector-Base Voltage V

CBO

60 V

Collector-Emitter Voltage V

CEO

20 V

Emitter-Base Voltage V

EBO

Continuous Collector Current I

1.25 A

Peak Pulse Current I

Base Current I

200 mA

Power Dissipation at T

amb

=25°C P

tot

500 mW

Operating and Storage Temperature Range T

stg

-55 to +150 °C

FMMTL618

1 2 3

FMMTL618 1

Inhaltsverzeichnis

Seite 1 - FMMTL618

CBESOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH GAINMEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 – NOVEMBER 1997FEATURESVery low equivalent on-resistance; RCE(sat)=140mΩ at 1.25AC

Seite 2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C).PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.Collector-Base Breakdown VoltageV(BR)CBO60 105 VIC=100µAC

Seite 3

FMMTL6181mA1mA1mA100m1mA1mIC- Collector Current (A)VCE(sat) v IC0VCE(sat)- (V)IC/IB=10IC/IB=20IC/IB=50+25°C-55°ChFE- Typical Gain+100°C0IC - Collector

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