Diodes FZT1147A Bedienungsanleitung

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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER
HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 1 - JANUARY 1997
FEATURES
*V
CEO
= -12V
* 5 Amp Continuous Current
* 20 Amp Pulse Current
* Low Saturation Voltage
* High Gain
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT
Collector-Base Voltage V
CBO
-15 V
Collector-Emitter Voltage V
CEO
-12 V
Emitter-Base Voltage V
EBO
-5 V
Peak Pulse Current I
CM
-20 A
Continuous Collector Current I
C
-5 A
Base Current I
B
-500 mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C P
tot
2.5 W
Operating and Storage Temperature
Range
T
j
:T
stg
-55 to +150 °C
†The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 2 inches by 2 inches
FZT1147A
C
C
E
B
SOT223
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Inhaltsverzeichnis

Seite 1 - FZT1147A

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWERHIGH GAIN TRANSISTORISSUE 1 - JANUARY 1997FEATURES*VCEO = -12V* 5 Amp Continuous Current* 20 Amp Pulse Current* Low Sat

Seite 2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C).PARAMETER SYMBOLVALUEUNIT CONDITIONS.MIN. TYP. MAX.Collector-BaseBreakdown VoltageV(BR)CBO-15 -35 VIC=-100

Seite 3

FZT1147A1m 1001m 1001m 100 100m 1001001m1m 100IC - Collector Current (A)VCE(sat) v IC01.0VCE(sat) - (V)IC/IB=10IC/IB=50IC/IB=100+25°C-55°ChFE - Typica

Seite 4

FZT1147ASPICE PARAMETERS* ZETEX FZT1147A Spice model Last revision 10/12/96*.MODEL FZT1147A PNP IS=1.272e-12 NF=0.989 ISE=2.5e-13 NE=1.65 + B

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