Diodes FMMT734 Bedienungsanleitung Seite 1

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“SUPER SOT” SOT23 PNP SILICON
POWER DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 1 – AUGUST 1997
FEATURES
* 625mW POWER DISSIPATION
* Very High h
FE
at High Current (5A)
* Extremely Low V
CE(sat)
at High Current (1A)
COMPLEMENTARY TYPE – FMMT634
PARTMARKING DETAIL – 734
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT
Collector-Base Voltage V
CBO
-100 V
Collector-Emitter Voltage V
CEO
-100 V
Emitter-Base Voltage V
EBO
-12 V
Peak Pulse Current I
CM
-5 A
Continuous Collector Current I
C
-800 mA
Power Dissipation P
tot
625 mW
Operating and Storage Temperature Range T
j
:T
stg
-55 to +150 °C
* Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on a ceramic
substrate measuring 15x15x0.6mm
**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%
C
B
E
SOT23
FMMT734
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Inhaltsverzeichnis

Seite 1 - POWER DARLINGTON TRANSISTOR

“SUPER SOT” SOT23 PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORISSUE 1 – AUGUST 1997FEATURES* 625mW POWER DISSIPATION* Very High hFE at High Current (5A)* E

Seite 2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.Collector-BaseBreakdown VoltageV(B

Seite 3 - TYPICAL CHARACTERISTICS

VCE(sat)-(V)10A1A10mA 100mA1mA-55°C+25°C+100°CIC/IB=500VCE(sat) v ICIC-Collector CurrentIC-Collector CurrentVBE(sat) v ICVBE(sat)- (V)0100mA10mA0.40.8

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