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Diodes DSS4320T Bedienungsanleitung Seite 2

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DSS4320T
Document number: DS31621 Rev. 2 - 2
2 of 5
www.diodes.com
November 2008
© Diodes Incorporated
DSS4320T
NEW PRODUCT
Electrical Characteristics @T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Conditions
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Cutoff Current
I
CBO
⎯ ⎯
100
nA
V
CB
= 20V, I
E
= 0
⎯ ⎯
50
μA
V
CB
= 20V, I
E
= 0, T
A
= 150°C
Emitter-Base Cutoff Current
I
EBO
⎯ ⎯
100 nA
V
EB
= 5V, I
C
= 0
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(
BR
)
CBO
20
⎯ ⎯
V
I
C
= 100μA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 5)
V
(
BR
)
CEO
20
⎯ ⎯
V
I
C
= 10mA
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(
BR
)
EBO
5
⎯ ⎯
V
I
E
= 100μA
ON CHARACTERISTICS (Note 5)
DC Current Gain
h
FE
220
⎯ ⎯
⎯
V
CE
= 2V, I
C
= 0.1A
220
⎯ ⎯ V
CE
= 2V, I
C
= 0.5A
220
⎯ ⎯ V
CE
= 2V, I
C
= 1A
200
⎯ ⎯ V
CE
= 2V, I
C
= 2A
150
⎯ ⎯
V
CE
= 2V, I
C
= 3A
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(SAT)
⎯ ⎯
70
mV
I
C
= 0.5A, I
B
= 50mA
⎯ ⎯
120
I
C
= 1A, I
B
= 50mA
⎯ ⎯
230
I
C
= 2A, I
B
= 40mA
⎯
70 210
I
C
= 2A, I
B
= 200mA
⎯ ⎯
310
I
C
= 3A, I
B
= 300mA
Equivalent On-Resistance
R
CE
(
SAT
)
⎯
35 105
mΩ
I
E
= 2A, I
B
= 200mA
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(SAT)
⎯ ⎯
1.1 V
I
C
= 2A, I
B
= 40mA
⎯ ⎯
1.2 V
I
C
= 3A, I
B
= 300mA
Base-Emitter Turn-on Voltage
V
BE
(
ON
)
⎯ ⎯
1.2 V
V
CE
= 2V, I
C
= 1A
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Transition Frequency
f
T
100
⎯ ⎯
MHz
V
CE
= 5V, I
C
= 100mA,
f = 100MHz
Output Capacitance
C
ob
⎯ ⎯
35 pF
V
CB
= 10V, f = 1MHz
Notes: 5. Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300μs. Duty cycle ≤2%.
0
0
P , POWER DISSIPATION (W)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)
A
°
R = 209°C/W
θ
JA
Fig. 1 Power Dissipation vs. Ambient Temperature (Note 4)
100
200
300
400
500
25 50 75 100 125 150
600
700
800
0.1 1 10 100
V , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
CE
Fig. 2 Typical Collector Current
vs. Collector-Emitter Voltage
0.001
0.01
0.1
1
10
I,
C
O
LLE
C
T
O
R
C
U
R
R
E
N
T
(A)
C
DC
Pw = 100ms
Pw = 10ms
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