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Diodes DSS4240T Bedienungsanleitung Seite 2

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DSS4240T
Document number: DS31623 Rev. 4 - 2
2 of 5
www.diodes.com
November 2011
© Diodes Incorporated
DSS4240T
NEW PRODUCT
Maximum Ratings @T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Value Unit
Collector-Base Voltage
V
CBO
40 V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
40 V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
5 V
Peak Pulse Collector Current
I
CM
3 A
Continuous Collector Current
I
C
2 A
Peak Base Current
I
BM
0.3 A
Thermal Characteristics @T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 4)
P
D
600 mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 4)
R
θ
JA
209 °C/W
Thermal Resistance, Junction to Lead (Note 5)
R
θ
JC
74.95 °C/W
Operating and Storage Temperature Range
T
J
, T
STG
-55 to +150 °C
Electrical Characteristics @T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Conditions
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CBO
40
⎯ ⎯
V
I
C
= 100μA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 6)
BV
CEO
40
⎯ ⎯
V
I
C
= 10mA
Emitter-Base Breakdown Voltage
BV
EBO
5
⎯ ⎯
V
I
E
= 100μA
Collector-Base Cutoff Current
I
CBO
⎯ ⎯
100
nA
V
CB
= 30V, I
E
= 0
⎯ ⎯
50
μA
V
CB
= 30V, I
E
= 0, T
A
= 150°C
Emitter-Base Cutoff Current
I
EBO
⎯ ⎯
100 nA
V
EB
= 4V, I
C
= 0
ON CHARACTERISTICS (Note 6)
DC Current Gain
h
FE
350
⎯ ⎯
⎯
V
CE
= 2V, I
C
= 0.1A
300
⎯ ⎯ V
CE
= 2V, I
C
= 0.5A
300
⎯ ⎯ V
CE
= 2V, I
C
= 1A
150
⎯ ⎯ V
CE
= 2V, I
C
= 2A
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
⎯ ⎯
70
mV
I
C
= 100mA, I
B
= 1mA
⎯
30 100
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
⎯ ⎯
180
I
C
= 750mA, I
B
= 15mA
⎯ ⎯
180
I
C
= 1A, I
B
= 50mA
⎯ ⎯
320
I
C
= 2A, I
B
= 200mA
Equivalent On-Resistance
R
CE
(
sat
)
⎯
60 200
mΩ
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(
sat
)
⎯ ⎯
1.1 V
I
C
= 2A, I
B
= 200mA
Base-Emitter Turn-on Voltage
V
BE
(
on
)
⎯ ⎯
0.75 V
V
CE
= 2V, I
C
= 100mA
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Transition Frequency
f
T
100
⎯ ⎯
MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 100mA,
f = 100MHz
Output Capacitance
C
ob
⎯ ⎯
20 pF
V
CB
= 10V, f = 1MHz
Notes: 4. Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.
5. Thermal resistance from junction to solder-point (at the end of the collector lead).
6. Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300μs. Duty cycle ≤ 2%.
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