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Diodes DSS4160T Bedienungsanleitung Seite 4

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DSS4160T
Document number: DS35531 Rev. 2 - 2
4 of 7
www.diodes.com
May 2014
© Diodes Incorporated
DSS4160T
Electrical Characteristics (@T
A
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Conditions
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CBO
80
⎯ ⎯
V
I
C
= 100μA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 9)
BV
CEO
60
⎯ ⎯
V
I
C
= 10mA
Emitter-Base Breakdown Voltage
BV
EBO
5
⎯ ⎯
V
I
E
= 100μA
Collector-Base Cutoff Current
I
CBO
⎯ ⎯
100
nA
V
CB
= 60V, I
E
= 0
⎯ ⎯
50 μA
V
CB
= 60V, I
E
= 0, T
A
= +150°C
Collector Cutoff Current
I
CES
⎯ ⎯
100 nA
V
EB
= 60V, I
BE
= 0
Emitter-Base Cutoff Current
I
EBO
⎯ ⎯
100 nA
V
EB
= 5V, I
C
= 0
DC Current Gain (Note 9)
h
FE
250
⎯ ⎯
⎯
V
CE
= 5V, I
C
= 1mA
200
⎯ ⎯
V
CE
= 5V, I
C
= 500mA
100
⎯ ⎯ V
CE
= 5V, I
C
= 1A
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 9)
V
CE(sat)
⎯ ⎯
115
mV
I
C
= 100mA, I
B
= 1mA
⎯ ⎯
150
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
⎯ ⎯
280
I
C
= 1A, I
B
= 100mA
Equivalent On-Resistance
R
CE(sat)
⎯ ⎯
280 mΩ
I
E
= 1A, I
B
= 100mA
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
⎯ ⎯
1.1 V
I
C
= 1A, I
B
= 50mA
Base-Emitter Turn-on Voltage
V
BE(on)
⎯ ⎯
0.9 V
V
CE
= 5V, I
C
= 1A
Transition Frequency
f
T
150
⎯ ⎯
MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 50mA,
f = 100MHz
Output Capacitance
C
obo
⎯ ⎯
10 pF
V
CB
= 10V, f = 1MHz
Turn-On Time
t
on
⎯
63
⎯
ns
V
CC
= 10V, I
C
= 0.5A,
I
B1
= I
B2
= 25mA
Delay Time
t
d
⎯
33
⎯
ns
Rise Time
t
r
⎯
30
⎯
ns
Turn-Off Time
t
off
⎯
420
⎯
ns
Storage Time
t
s
⎯
380
⎯
ns
Fall Time
t
f
⎯
40
⎯
ns
Note: 9. Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300μs. Duty cycle ≤ 2%.
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