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Diodes ZXTN25050DFH Bedienungsanleitung

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Issue 3 - September 2006 1 www.zetex.com
© Zetex Semiconductors plc 2006
ZXTN25050DFH
50V, SOT23, NPN medium power transistor
Summary
BV
CEX
> 150V
BV
CEO
> 50V
BV
ECO
> 5V
I
C(cont)
= 4A
V
CE(sat)
< 60mV @ 1A
R
CE(sat)
= 40m⍀
P
D
= 1.25W
Description
Advanced process capability and package design have been used to
maximize the power handling and performance of this small outline
transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally
suited to applications where space is at a premium.
Features
• High power dissipation SOT23 package
• High peak current
•High gain
• Low saturation voltage
• 150V forward blocking voltage
• 5V reverse blocking voltage
Applications
• MOSFET gate drivers
• Power switches
• Motor control
•DC fans
• DC-DC converters
Ordering information
Device marking
017
Device Reel size
(inches)
Tape width
(mm)
Quantity per
reel
ZXTN25050DFHTA 7 8 3,000
C
E
B
C
E
B
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Inhaltsverzeichnis

Seite 1 - ZXTN25050DFH

Issue 3 - September 2006 1 www.zetex.com© Zetex Semiconductors plc 2006ZXTN25050DFH50V, SOT23, NPN medium power transistorSummary BVCEX > 150V BVCE

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ZXTN25050DFHIssue 3 - September 2006 2 www.zetex.com© Zetex Semiconductors plc 2006Absolute maximum ratingsNOTES:(a) For a device surface mounted on 1

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ZXTN25050DFHIssue 3 - September 2006 3 www.zetex.com© Zetex Semiconductors plc 2006Characteristics

Seite 4

ZXTN25050DFHIssue 3 - September 2006 4 www.zetex.com© Zetex Semiconductors plc 2006Electrical characteristics (at Tamb = 25°C unless otherwise stated)

Seite 5

ZXTN25050DFHIssue 3 - September 2006 5 www.zetex.com© Zetex Semiconductors plc 2006Typical characteristics

Seite 6

ZXTN25050DFHIssue 3 - September 2006 6 www.zetex.com© Zetex Semiconductors plc 2006For international sales offices visit www.zetex.com/officesZetex pr

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