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Diodes ZXTN2010G Bedienungsanleitung

Stöbern Sie online oder laden Sie Bedienungsanleitung nach Hardware Diodes ZXTN2010G herunter. Diodes ZXTN2010G User Manual Benutzerhandbuch

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1
SEMICONDUCTORS
SUMMARY
BV
CEO
= 60V : R
SAT
= 35m ; I
C
= 6A
DESCRIPTION
Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 60V NPN transistor
offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits
and various driving and power management functions.
FEATURES
•
Extremely low equivalent on-resistance; R
SAT
= 35mV at 6A
•
6 amps continuous current
•
Up to 20 amps peak current
•
Very low saturation voltages
•
Excellent h
FE
characteristics up to 10 amps
APPLICATIONS
•
Emergency lighting circuits
•
Motor driving (including DC fans)
•
Solenoid, relay and actuator drivers
•
DC Modules
•
Backlight Inverters
DEVICE MARKING
ZXTN
2010
ZXTN2010G
ISSUE 2 - MAY 2006
60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
DEVICE REEL
SIZE
TAPE
WIDTH
QUANTITY PER
REEL
ZXTN2010GTA 7” 12mm
embossed
1000 units
ZXTN2010GTC 13” 4000 units
ORDERING INFORMATION
PINOUT
TOP VIEW
S
O
T
2
2
3
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Inhaltsverzeichnis

Seite 1 - ZXTN2010G

1SEMICONDUCTORSSUMMARYBVCEO= 60V : RSAT= 35m ; IC= 6ADESCRIPTIONPackaged in the SOT223 outline this new low saturation 60V NPN transistoroffers extrem

Seite 2

ZXTN2010GSEMICONDUCTORSISSUE 2 - MAY 20062PARAMETER SYMBOL VALUE UNITJunction to ambient(a)R⍜JA42 °C/WNOTES(a) For a device surface mounted on 52mm x

Seite 3

ZXTN2010GSEMICONDUCTORSISSUE 2 - MAY 20063CHARACTERISTICS

Seite 4

ZXTN2010GSEMICONDUCTORSISSUE 2 - MAY 20064PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONSCollector-base breakdown voltage BVCBO150 190 V IC=100␮AColle

Seite 5

ZXTN2010GSEMICONDUCTORSISSUE 2 - MAY 20065TYPICAL CHARACTERISTICS

Seite 6

ZXTN2010GSEMICONDUCTORSEuropeZetex GmbHStreitfeldstraße 19D-81673 MünchenGermanyTelefon: (49) 89 45 49 49 0Fax: (49) 89 45 49 49 49europe.sales@zetex.

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