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Diodes ZXMN3A03E6 Bedienungsanleitung

Stöbern Sie online oder laden Sie Bedienungsanleitung nach Hardware Diodes ZXMN3A03E6 herunter. Diodes ZXMN3A03E6 User Manual Benutzerhandbuch

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1
SEMICONDUCTORS
SUMMARY
V
(BR)DSS
= 30V; R
DS(ON)
= 0.050 I
D
= 4.6A
DESCRIPTION
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure
that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This
makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management
applications.
FEATURES
•
Low on-resistance
•
Fast switching speed
•
Low threshold
•
Low gate drive
• SOT23-6 package
APPLICATIONS
•
DC - DC converters
•
Power management functions
•
Disconnect switches
•
Motor control
DEVICE MARKING
•
3A3
ZXMN3A03E6
ISSUE 3 - OCTOBER 2005
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DEVICE REEL
SIZE
TAPE
WIDTH
QUANTITY
PER REEL
ZXMN3A03E6TA 7” 8mm 3000 units
ZXMN3A03E6TC 13” 8mm 10000 units
ORDERING INFORMATION
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PINOUT
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O
T
2
3
-
6
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Inhaltsverzeichnis

Seite 1 - ZXMN3A03E6

1SEMICONDUCTORSSUMMARYV(BR)DSS= 30V; RDS(ON)= 0.050 ID= 4.6ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structuretha

Seite 2

ZXMN3A03E6SEMICONDUCTORSISSUE 3 - OCTOBER 20052PARAMETER SYMBOL VALUE UNITJunction to ambient(a)RθJA113 °C/WJunction to ambient(b)RθJA73 °C/WNOTES:(a)

Seite 3

CHARACTERISTICSZXMN3A03E6SEMICONDUCTORSISSUE 3 - OCTOBER 20053

Seite 4

ZXMN3A03E6SEMICONDUCTORSISSUE 3 - OCTOBER 20054PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.STATICDrain-source breakdown voltage V(BR)DSS30 V ID=25

Seite 5

ZXMN3A03E6SEMICONDUCTORSISSUE 3 - OCTOBER 20055TYPICAL CHARACTERISTICS

Seite 6

TYPICAL CHARACTERISTICSZXMN3A03E6SEMICONDUCTORSISSUE 3 - OCTOBER 20056

Seite 7

ZXMN3A03E6SEMICONDUCTORSISSUE 3 - OCTOBER 20057EuropeZetex GmbHStreitfeldstraße 19D-81673 MünchenGermanyTelefon: (49) 89 45 49 49 0Fax: (49) 89 45 49

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