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Diodes ZXMP4A16G Bedienungsanleitung

Stöbern Sie online oder laden Sie Bedienungsanleitung nach Hardware Diodes ZXMP4A16G herunter. Diodes ZXMP4A16G User Manual Benutzerhandbuch

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SEMICONDUCTORS
SUMMARY
V
(BR)DSS
= -40V: R
DS(on)
= 0.060 : I
D
= -6.4A
DESCRIPTION
This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure
that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This
makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management
applications.
FEATURES
·
Low on-resistance
·
Fast switching speed
·
Low threshold
·
Low gate drive
·
SOT223 package
APPLICATIONS
·
DC-DC Converters
·
Disconnect switches
·
Audio output stages
·
Motor Control
DEVICE MARKING
·
ZXMP
4A16
ZXMP4A16G
1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ISSUE 4 - JULY 2003
DEVICE REEL
SIZE
TAPE
WIDTH
QUANTITY
PER REEL
ZXMP4A16GTA 7” 12mm 1000 units
ZXMP4A16GTC 13” 12mm 4000 units
ORDERING INFORMATION
Top View
PINOUT
S
O
T
2
2
3
Seitenansicht 0
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Inhaltsverzeichnis

Seite 1 - ZXMP4A16G

SEMICONDUCTORSSUMMARYV(BR)DSS= -40V: RDS(on)= 0.060 : ID= -6.4ADESCRIPTIONThis new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure

Seite 2

ZXMP4A16GSEMICONDUCTORS2ISSUE 4 - JULY 2003PARAMETER SYMBOL LIMIT UNITDrain-Source Voltage VDSS-40 VGate-Source Voltage VGS⫾20 VContinuous Drain Curre

Seite 3

ZXMP4A16GSEMICONDUCTORS3ISSUE 4 - JULY 2003CHARACTERISTICS

Seite 4

ZXMP4A16GSEMICONDUCTORSISSUE 4 - JULY 20034PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONSSTATICDrain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS-40 VID=-250µA,

Seite 5

ZXMP4A16GSEMICONDUCTORS5ISSUE 4 - JULY 2003TYPICAL CHARACTERISTICS

Seite 6

ZXMP4A16GSEMICONDUCTORS6ISSUE 4 - JULY 2003

Seite 7

ZXMP4A16GSEMICONDUCTORSISSUE 4 - JULY 20037EuropeZetex plcFields New RoadChaddertonOldham, OL9 8NPUnited KingdomTelephone (44) 161 622 4444Fax: (44) 1

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